トンネル磁気抵抗効果

3行要約

1. 薄い絶縁層を挟んだ二つの強磁性体間で、磁化の向きにより電気抵抗が変化する現象。
2. 量子力学のトンネル効果を利用しており、極めて高い抵抗変化率を実現できる。
3. ハードディスクの読み取りヘッドや、次世代メモリMRAMの基幹技術である。