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周期表の13族と15族の元素を組み合わせた半導体材料の総称。

シリコンと比較して電子移動度が高く、光の吸収や発光の効率に優れる特徴を持つ。

LED、レーザーダイオード、高速通信用デバイス、太陽電池などに広く利用される。

中性子照射などにより、結晶格子中の原子が本来の位置から弾き飛ばされる現象。

弾き飛ばされた原子が蓄積する「ウィグナー・エネルギー」は、発熱や変形の原因となる。

原子炉の安全管理において、黒炭減速材の劣化を防ぐために考慮すべき重要な要素。

硫黄、セレン、テルルなどのカルコゲン元素同士が結合してできる化合物。

異なるカルコゲン原子が共有結合を形成し、独特の半導体特性や光学的性質を示す。

太陽電池の材料や相変化メモリなど、次世代の電子デバイス素材として研究が進んでいる。

2種類の金属を接合して加熱した際、拡散速度の差によって接合面が移動する現象。

原子の移動に伴い、拡散が速い側に微細な空孔（カーケンドール・ボイド）が形成される。

半導体パッケージの信頼性低下の原因となる一方で、中空ナノ粒子の合成手法としても利用される。

アモルファスシリコンに光を照射し続けると、電気伝導度が低下する現象。

光によって材料内部に欠陥が生じることが原因と考えられている。

太陽電池の長期的な変換効率低下を招く要因として、材料開発の課題となっている。

結晶にX線を照射した際、特定の角度で強い反射（回折）が起きる条件を示す法則。

結晶格子の間隔とX線の波長、入射角の関係を「nλ = 2d sinθ」という式で表す。

X線結晶構造解析の基本原理であり、物質の原子配列を特定するために不可欠。