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薄い絶縁層を挟んだ二つの強磁性体間で、磁化の向きにより電気抵抗が変化する現象。

量子力学のトンネル効果を利用しており、極めて高い抵抗変化率を実現できる。

ハードディスクの読み取りヘッドや、次世代メモリMRAMの基幹技術である。

磁化の方向と電流の方向の角度によって、電気抵抗が変化する現象。

強磁性体において顕著に見られ、外部磁場を検知するセンサーとして利用される。

ハードディスクの読み取りヘッドや磁気エンコーダーなどの基幹技術として発展した。

外部磁場によって、物質の電気抵抗が変化する現象のこと。

強磁性体を用いたAMRや、多層膜による巨大磁気抵抗効果がある。

ハードディスクのヘッドや磁気センサーなど、現代の電子機器に不可欠な技術である。